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IPW60R070CFD7XKSA1 IPP60R070CFD7XKSA1

信息来源 : 网络 | 发布时间 : 2018-04-20 11:46 | 浏览次数 : 498

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Infineon 600V CoolMOS™ CFD7高压超级结MOSFET非常适合用于谐振大功率拓扑结构,采用最新的高压超级结MOSFET技术。这些MOSFET内置快速体二极管,完善了CoolMOS 7系列。典型的大功率SMPS应用包括服务器、电信和EV充电站。


特性

超快体二极管

同类最佳的反向恢复电荷

增强了反向二极管dv/dt和diF/dt耐用性

极低FOM RDS(on)*Qg和EOSS

同类最佳的RDS(on)/封装组合

同类最佳的硬换向耐久性

可靠性极高,适用于谐振拓扑结构


可在目标应用中实现极高效率

实现超高功率密度解决方案

框图

应用

服务器

电信

EV充电

SMPS

PC电源


IPW60R070CFD7XKSA1

IPP60R070CFD7XKSA1

IPA60R170CFD7XKSA1

IPW60R031CFD7XKSA1

IPA60R280CFD7XKSA1

IPD60R170CFD7ATMA1

IPP60R170CFD7XKSA1

IPD60R280CFD7ATMA1

IPW60R170CFD7XKSA1

IPP60R280CFD7XKSA1

IPL60R185CFD7AUMA1

IPL60R075CFD7AUMA1

Infineon Technologies IPW60R070CFD7XKSA1IPW60R070CFD7XKSA1  制造商: Infineon 

产品种类: MOSFET  

技术: Si 

安装风格: Through Hole 

封装 / 箱体: TO-247-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 600 V 

Id-连续漏极电流: 31 A 

Rds On-漏源导通电阻: 57 mOhms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V 

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 

Qg-栅极电荷: 67 nC 

最小工作温度: - 55 C 

最大工作温度: + 150 C 

配置: Single 

Pd-功率耗散: 156 W 

通道模式: Enhancement 

商标名: CoolMOS 

封装: Tube 

系列: CoolMOS CFD7  

晶体管类型: 1 N-Channel  

商标: Infineon Technologies  

下降时间: 6 ns  

上升时间: 23 ns  

工厂包装数量: 240  

典型关闭延迟时间: 99 ns  

典型接通延迟时间: 26 ns  

零件号别名: IPW60R070CFD7 SP001617990



深圳市烨弘轩电子有限公司,我司2011年成立于中国经济特区深圳.我司专注于为全球电子企业提供优质的电子零件供应服务,竭力打造全球品牌元器件零售与批量供应中心。专业经营各类电子元器件(集成电路IC,存储芯片,分立器件,电源,无源元件,连接器,继电器,传感器,光电子,开关,保险元件,紧固件,开发工具,变压器,测试与测量等)。 我们以低成本提供全方位一站式电子元件供应链采购方案,包括但不仅限于电子元件紧急物料搜寻,电子元件齐套供应、电子元件降低成本的长期供应,库存寄售等一系列供应链解决方案。优势供应各类电子组件.

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深圳市烨弘轩电子有限公司 重点客户遍布中国内地 港 澳 台地区,另外欧美发达国家以及 一代一路沿线发展中国家我司也有大量长期合作的优质客户。

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深圳市烨弘轩电子有限公司 为一般纳税人 可开具17%增值税票   有合作基础可申请月结,延长账期等多种供货付款方式。

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公司经营目标:整合全球资源全 芯 全意为您服务。

公司服务宗旨:客户虐我千百遍,我待客户如初恋。

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主营 :  主动电子元器件 集成电路 IC 芯片 (AD TI  MAX NXP ST LT XILINX ALTERA)等。

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