先进的工艺能力已用于实现：这种高性能设备。结合NPN和PNP SOT23-6封装中的晶体管提供了紧凑型ZXTC2063E6TA 来自二极管的GP BJT将Zetex转换成电子电路，用作电流或电压控制开关或放大器。这种双极结型晶体管“最大发射极基极电压为7V。其最大功耗为1700 mW。为了保证安全交货，并允许在交货后快速安装该组件，在运输过程中，它将被封闭在磁带和卷轴包装。这种双极结型晶体管的最低工作温度为—55℃，最高可达150℃。它有一个最大的集电极发射极电压为40 V和最大发射极基极电压7 V。

Mouser编号：522-ZXTC2063E6TA

制造商编号：ZXTC2063E6TA

制造商：Diodes Incorporated

说明：双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 1A Medium Power TRANSISTOR

制造商: Diodes Incorporated  

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)  

安装风格: SMD/SMT  

封装 / 箱体: SOT-26-6  

晶体管极性: NPN, PNP  

配置: Dual  

集电极—发射极最大电压 VCEO: 40 V  

集电极—基极电压 VCBO: 130 V, 45 V  

发射极 - 基极电压 VEBO: 7 V  

集电极—射极饱和电压: 135 mV, 175 mV  

最大直流电集电极电流: 3.5 A, 3 A  

Pd-功率耗散: 1.7 W  

增益带宽产品fT: 190 MHz, 270 MHz  

最小工作温度: - 55 C  

最大工作温度: + 150 C  

系列: ZXTC2063  

封装: Reel  

封装: Cut Tape  

封装: MouseReel  

商标: Diodes Incorporated  

直流集电极/Base Gain hfe Min: 300 at 10 mA, 2 V at NPN, 280 at 1 A, 2 V at NPN, 40 at 3.5 A, 2 V at NPN, 300 at 10 mA, 2 V at PNP, 200 at 1 A, 2 V at PNP, 20 at 3 A, 2 V at PNP  

直流电流增益 hFE 最大值: 300 at 10 mA, 2 V  

高度: 1.3 mm  

长度: 3.1 mm  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors  

工厂包装数量: 3000  

子类别: Transistors  

技术: Si  

宽度: 1.8 mm  

单位重量: 15 mg 

特征

NPN-PNP组合

极低的饱和电压

高增益

SOT23-6封装

应用

MOSFE和IGBT栅极驱动

电机驱动