据tomshardware报道，传英特尔已完成其英特尔18A（1.8纳米级）和英特尔20A（2纳米级）制造工艺的开发，这些工艺将用于制造公司自己的产品，以及为其英特尔代工服务(IFS)部门的客户生产的芯片。

英特尔中国总裁兼董事长王锐在一次活动中表示，公司已经完成了英特尔18A（18纳米级）和英特尔20A（20纳米级）制造工艺的开发。
这并不意味着生产节点已准备好用于商业制造，而是英特尔已经确定了这两种技术的所有规格、材料、要求和性能目标。

英特尔的20A制造技术将依赖环栅RibbonFET晶体管，并将使用背面供电。缩小金属间距、引入全新的晶体管结构并同时增加背面供电是一个冒险的举动，
但预计20A将使英特尔超越公司的竞争对手——台积电和三星代工厂。英特尔计划在2024年上半年开始使用该节点。

图源：英特尔

英特尔的18A制造工艺将进一步完善公司的RibbonFET和PowerVia技术，并缩小晶体管尺寸。该节点的开发显然进展顺利，以至于英特尔将其推出时间从2025年提前到2024年下半年。
英特尔最初计划为其1.8纳米级节点使用具有0.55数值孔径(NA)光学器件的ASML Twinscan EXE设备，但由于它决定尽快开始使用该技术，将不得不依赖于大量使用具有0.33 NA光学器件的现有Twinscan NXE，
以及EUV双图案化。

该公司本身预计其1.8纳米级制造技术将在2024年下半年进入大批量制造(HVM)时成为业界最先进的节点。

英特尔的20A和18A制造技术正在为公司自己的产品以及IFS为其代工客户生产的芯片而开发。

英特尔首席执行官Pat Gelsinger在最近与分析师和投资者举行的电话会议上表示：“我们与10大代工客户中的7家有积极的合作渠道，并且渠道持续增长，包括43家潜在客户和生态系统合作伙伴测试芯片。
”“此外，我们继续在Intel 18A上取得进展，并且已经与我们的主要客户分享了PDK 0.5（工艺设计套件）的工程版本，并预计在未来几周内发布最终产品。