一般描述：

英飞凌OptiMOS™ 5 25V和30V功率MOSFET通过在待机和全功率运行时均实现高功率密度和能效，提供高标准解决方案。这些MOSFET采用硅技术，经优化可满足并超过能效和功率密度要求。

这些MOSFET基于DC/DC应用中更严格的下一代电压调节标准。OptiMOS™ 5系列产品广泛应用于计算机行业的电压调节，包括服务器、数据通信和客户端应用，同时专注于Intel的VR和IMVP平台。

参数

Mouser编号：726-BSC010N04LSATMA1

制造商编号：BSC010N04LSATMA1

制造商：Infineon Technologies

说明：MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

制造商: Infineon  

产品种类: MOSFET 

技术: Si  

安装风格: SMD/SMT  

封装 / 箱体: TDSON-8  

晶体管极性: N-Channel  

通道数量: 1 Channel  

Vds-漏源极击穿电压: 40 V  

Id-连续漏极电流: 100 A  

Rds On-漏源导通电阻: 1 mOhms  

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V  

Qg-栅极电荷: 133 nC  

最小工作温度: - 55 C  

最大工作温度: + 150 C  

Pd-功率耗散: 139 W  

通道模式: Enhancement  

商标名: OptiMOS  

系列: OptiMOS 5  

封装: Reel  

封装: Cut Tape  

封装: MouseReel  

商标: Infineon Technologies  

配置: Single  

下降时间: 9 ns  

正向跨导 - 最小值: 140 S  

高度: 1.27 mm  

长度: 5.9 mm  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 12 ns  

工厂包装数量: 5000  

子类别: MOSFETs  

晶体管类型: 1 N-Channel  

典型关闭延迟时间: 46 ns  

典型接通延迟时间: 10 ns  

宽度: 5.15 mm  

零件号别名: BSC010N04LS SP000928282  

单位重量: 100 mg 

特性

• 出色的导通电阻

• 符合标准的开关性能（低品质因数Ron x Qg和Ron x Qgd）

• 符合RoHS标准且无卤素

• 经过优化的EMI表现（ 集成的阻尼网络）

• 高效率

• 采用S3O8或Power Block模块封装的高功率密度

• 降低了总体系统成本

• 在高开关频率下运行

应用

• 台式机和服务器r

• 单相和多相PoL

• 笔记本电脑中的CPU/GPU电压调节

• 高功率密度电压调节器

• O形环

• 电子保险丝