一般描述：

英飞凌CoolMOSN沟道功率MOSFET树立了高性能和高能效的标准。英飞凌OptiMOS低压MOSFET系列在20V至250V的电压范围内具有业界最低的导通电阻和最佳的开关性能。

新的OptiMOS 25V和30V产品系列为分立功率MOSFET的功率密度和能效设定了新的标准。这些器件针对特定应用进行了优化，适用于服务器、笔记本电脑、电信/数据通信交换机等的电源。

革命性的英飞凌CoolMOS功率系列树立了能效新标准，是高压MOSFET的技术领导者。CoolMOS可显著降低导通和开关损耗，实现高功率密度和效率，从而实现卓越的功率转换系统。

冷却MOSC6 / E6功率MOSFET将最先进的超结器件的优势与传统功率半导体的优势相结合。

英飞凌科技CoolMOS功率晶体管采用革命性的CoolMOS适用于高压功率MOSFET的技术，根据超结（SJ）原理设计，由英飞凌科技公司首创。

CoolMOSC6和E6功率晶体管系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和一流的创新。由此产生的器件提供了一个快速开关SJ MOSFET的所有好处，同时不牺牲易用性。

极低的开关损耗和导通损耗使开关应用更高效、更紧凑、更轻、更酷。

参数

Mouser编号：726-BSC600N25NS3GXT

制造商编号：BSC600N25NS3G

制造商：Infineon Technologies

说明：MOSFET N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3

制造商: Infineon  

产品种类: MOSFET 

技术: Si  

安装风格: SMD/SMT  

封装 / 箱体: TDSON-8  

晶体管极性: N-Channel  

通道数量: 1 Channel  

Vds-漏源极击穿电压: 250 V  

Id-连续漏极电流: 25 A  

Rds On-漏源导通电阻: 50 mOhms  

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V  

Qg-栅极电荷: 29 nC  

最小工作温度: - 55 C  

最大工作温度: + 150 C  

Pd-功率耗散: 125 W  

通道模式: Enhancement  

商标名: OptiMOS  

系列: OptiMOS 3  

封装: Reel  

封装: Cut Tape  

封装: MouseReel  

商标: Infineon Technologies  

配置: Single  

下降时间: 8 ns  

正向跨导 - 最小值: 25 S  

高度: 1.27 mm  

长度: 5.9 mm  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 10 ns  

工厂包装数量: 5000  

子类别: MOSFETs  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: OptiMOS 3 Power-Transistor  

典型关闭延迟时间: 22 ns  

典型接通延迟时间: 10 ns  

宽度: 5.15 mm  

零件号别名: SP000676402 BSC6N25NS3GXT BSC600N25NS3GATMA1  

单位重量: 100 mg 

特性

• N沟道，正常电平

• 优异的标极电荷x Rosion产品(FOM)

• 极低导通电阻Ros《on)

• 无船铅电镀;符合ROHS标难

• 根据JEDEC认证的日标应用程序

• 根据IEC61249-2-21不含肉素

• 高频开关和同步整流的理想选择