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应用于高性能计算系统的功率半导体器件 全要素现货

信息来源 : 网络 | 发布时间 : 2025-12-20 12:23 | 浏览次数 : 13

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应用于高性能计算系统的功率半导体器件 WMO10N60C4 维安

应用于高性能计算系统的功率半导体器件 WML25N65C4 维安

应用于高性能计算系统的功率半导体器件 WMO15N65XJ 维安

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应用于高性能计算系统的功率半导体器件 WML13N65C4 维安

应用于高性能计算系统的功率半导体器件 WMO028N04LG4 维安

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应用于高性能计算系统的功率半导体器件 WMO11P20TS 维安

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应用于高性能计算系统的功率半导体器件 WMJ023N08HGS 维安

应用于高性能计算系统的功率半导体器件 WMO35P04T1 维安

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核心选型思路

HPC系统的电源通常采用分级设计:

  1. AC-DC PSU:将交流市电转换为12V/48V等直流母线电压。

  2. DC-DC转换:将母线电压转换为板载电压,如CPU/GPU/ASIC所需的多相VRM、负载点电源


一、 功率器件选型重点领域及维安方案推荐

1. AC-DC 电源模块(PSU)

  • 关键需求:高效率(80 Plus钛金/铂金)、高功率密度、高可靠性。

  • 关键器件

    • PFC(功率因数校正)级:通常采用CCM图腾柱PFC或无桥PFC。

    • LLC谐振DC-DC级:实现高效率的隔离转换。

  • 维安选型推荐

    • 系列WSF系列(中低压SJ-MOS)或 WML系列(低电压逻辑电平MOS)。

    • 特点:极低的Qg和Rds(on),适合高频同步整流。

    • 举例:WSF120N10LS(100V, 120A, Rds(on)=1.0mΩ)。

    • 系列WMO系列或专用高压启动芯片。

    • 系列WP系列WS系列(如WSF系列)。

    • 特点:低导通电阻,低开关损耗,高雪崩耐量。选择650V耐压型号。

    • 举例:WP60R1K0FM(650V, 60A, Rds(on)=10mΩ)适用于大功率PFC。

    • 超级结MOSFET(SJ-MOS):适用于PFC和LLC初级侧。

    • 高压启动MOSFET

    • 同步整流MOSFET(SR):用于LLC次级侧,对开关速度要求高。

    2. CPU/GPU/ASIC 多相VRM(电压调节模块)

    • 关键需求极高的di/dt动态响应能力、超低开关损耗、超高效率。这是HPC系统功率最密集、最核心的部分。

    • 关键器件DrMOS 或 分立式上下桥MOSFET + 驱动器

    • 维安选型推荐

      • 上桥(High-side)MOSFET: 选择WML系列逻辑电平MOS,低Qg,低Rds(on)。

      • 下桥(Low-side)MOSFET: 选择WML系列,重点优化FOM(Qg * Rds(on)),以实现高效率。

      • 搭配维安的栅极驱动器(如 W系列驱动器**)使用。

      • 系列WMO系列 中的 DrMOS 产品。

      • 特点:支持高开关频率(500kHz - 1MHz+),集成电流采样,热性能好,寄生参数极小,能提供最佳的动态响应。

      • 举例:根据电流需求选择不同型号,如40A、60A、90A等级的DrMOS,匹配CPU/GPU的功率需求。

      • DrMOS(首选,强烈推荐):将上下桥MOSFET和驱动器集成在一个封装内,性能最优。

      • 分立方案(如对成本更敏感或功率等级特殊):

      3. 负载点转换器

      • 关键需求:高效率、高功率密度、良好的散热。

      • 拓扑:通常为同步Buck转换器。

      • 维安选型推荐

        • 系列WML系列(逻辑电平)、WMO系列(标准电平)。

        • 电压:根据输入电压选择30V, 40V, 60V, 80V, 100V等。

        • 原则:上桥关注Qg和Coss,下桥关注Rds(on)。也可使用功率封装一体化的半桥模块以减小寄生电感。

        • 中低压MOSFET:用于同步Buck的上下桥。

      4. 保护与辅助电路

      • 关键器件TVS二极管、ESD保护器件

      • 需求:保护敏感的数字芯片(如CPU/GPU、内存、高速接口)免受电压浪涌和静电损伤。

      • 维安选型推荐

        • 系列WESD系列

        • 特点:极低电容(可低至0.3pF),适用于高速接口(如PCIe, USB, Ethernet)的ESD保护。

        • 系列WTVS系列

        • 特点:低钳位电压,高浪涌吸收能力,低漏电流。用于电源轨和接口的瞬态过压保护。

        • 举例:WTVS5V0A用于5V电源保护。

        • TVS二极管阵列

        • ESD保护器件


        二、 维安器件选型优势总结

        1. 产品线完整:覆盖了从高压到低压,从分立到集成(DrMOS)的全系列功率器件和保护器件。

        2. 性能对标国际大厂:维安的超级结MOSFET和DrMOS在关键性能参数(Rds(on), Qg, FOM)上已具备与国际一线品牌竞争的实力,能满足HPC的高标准要求。

        3. 可靠性高:产品通过了AEC-Q101等车规级认证,其工业级和商用级产品的可靠性有充分保障,适合7x24小时运行的数据中心环境。

        4. 技术支持与供应稳定:作为本土企业,在技术支持响应速度和供应链安全方面有优势。

        三、 选型流程建议

        1. 明确规格:确定每一路电源的电压、电流、纹波、动态响应要求(如Load Step大小和slew rate)。

        2. 确定拓扑和频率:根据效率和密度要求,选择拓扑(如多相Buck, 同步Buck)和工作频率。

        3. 计算损耗:根据开关频率、电流等参数,估算导通损耗和开关损耗,初步筛选器件。

        4. 仿真验证:使用PSPICE模型或导入到仿真工具中,验证开关波形、损耗和热性能。

        5. PCB布局考量:特别是对于多相VRM和高压大电流部分,寄生参数影响巨大,维安通常能提供DrMOS和MOSFET的布局指导。

        6. 联系维安技术支持:提供您的详细规格需求,获取最直接的型号推荐、样品和设计支持。

        总结:对于HPC系统的核心——多相VRM,应优先考虑维安的DrMOS产品。对于PSU,重点选择其WP/WS系列超级结MOSFET。在所有敏感接口,使用其WTVS/WESD系列进行保护。




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        主营业务: ADI AMD  进口品牌现货增值服务  进口品牌国产化替代推广。

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